غول فناوری کره ای سامسونگ با همکاری Synopsys اعلام کرده است که آماده تولید انبوه اولین تراشه اگزینوس 3 نانومتری خود است. اگرچه نام Exynos به صراحت در این بیانیه خبری ذکر نشده است، اما جزئیات آن نوید ورود نسل جدیدی از تراشه های قدرتمند برای دستگاه های هوشمند سامسونگ را می دهد.
همکاری سامسونگ با Synapsis، یک شرکت متخصص در اتوماسیون طراحی الکترونیکی، به منظور بهینه سازی فرآیند تولید و در نتیجه افزایش کارایی و بهبود عملکرد تراشه های پردازشی این شرکت صورت گرفت. بر اساس این اطلاعیه، این دو شرکت در حال گذراندن مرحله نهایی طراحی به نام «تاپینگ اوت» هستند. در این مرحله طرح نهایی به ریخته گری ارسال می شود تا خطوط تولید برای فرآیند تولید انبوه آماده شود.
این تراشه اولین تراشه پیچیده و با کارایی بالا سامسونگ خواهد بود که با استفاده از فرآیند GAA (Gate-All-Around) روی یک گره 3 نانومتری ساخته شده است. پیش از این، ریخته‌گری‌های سامسونگ از سال 2022 شروع به تولید تراشه‌های 3 نانومتری کردند، اما این تراشه‌ها تراشه‌های ساده‌تری بودند که برای استخراج ارزهای دیجیتال استفاده می‌شدند. در حالی که تراشه‌های سیستم روی تراشه (SoC) مورد استفاده در دستگاه‌های تلفن همراه سخت‌افزار پیچیده‌تری هستند و نیاز به فرآیندهای طراحی و ساخت متفاوتی دارند.
در صورت موفقیت آمیز بودن این مرحله، انتظار می رود که ریخته گری های سامسونگ در چند ماه آینده تولید انبوه تراشه های نسل جدید SoC را آغاز کنند. با این حال، هنوز مشخص نیست که اولین تراشه 3 نانومتری، تراشه Exynos 2500 برای گوشی های هوشمند سری گلکسی S25 خواهد بود یا تراشه دیگری این عنوان را به خود اختصاص خواهد داد. برای مثال، گلکسی واچ 7 آینده را می‌توان با جدیدترین سخت‌افزار سامسونگ ارتقا داد و آن را کاندیدای پردازنده‌های 3 نانومتری کرد.
من بیشتر می دانم:
در دنیای پیچیده تولید تراشه، نانومتر نقش کلیدی ایفا می کند. این واحد اندازه گیری معیاری برای سنجش ظرافت و پیچیدگی فرآیند ساخت تراشه است و به طور کلی هر چه تعداد نانومتر کمتر باشد، تراشه قدرتمندتر، کارآمدتر و البته گرانتر می شود.
نانومتر واحد مناسبی برای اندازه گیری ابعاد ترانزیستورها است که اجزای سازنده تراشه ها هستند. ترانزیستورها وظیفه پردازش اطلاعات و انجام محاسبات را بر عهده دارند و هر چه تعداد آنها در واحد سطح بیشتر باشد، تراشه قدرتمندتر خواهد بود. با کوچک کردن ترانزیستورها و افزایش چگالی آنها در واحد سطح، می توان ترانزیستورهای بیشتری را در یک تراشه جا داد و در نتیجه عملکرد و کارایی تراشه را تا حد زیادی بهبود بخشید.
این خبر گام مهمی برای سامسونگ برای رقابت با شرکت هایی مانند TSMC در زمینه ساخت تراشه های پیشرفته است. فرآیند ساخت تراشه 3 نانومتری منجر به افزایش چگالی ترانزیستور و در نتیجه بهبود عملکرد و کاهش مصرف برق دستگاه های مجهز به این تراشه ها می شود. اگرچه هنوز مشخص نیست که اولین دستگاهی که از این تراشه بهره می‌برد، می‌توان انتظار داشت که گوشی‌های هوشمند، ساعت‌های هوشمند و سایر دستگاه‌های الکترونیکی مجهز به تراشه‌های 3 نانومتری سامسونگ را ببینیم که نسبت به مدل‌های قبلی قدرتمندتر و کم مصرف‌تر هستند. جاری باشد
